浪起激光:激光芯片翻新开盖机,用光纤激光和紫外激光有什么区别
在激光芯片翻新开盖机中,光纤激光和紫外激光的核心区别体现在加工原理、适用材料、精度控制和应用场景上。以下是具体对比:
一、核心差异对比表
对比维度 | 光纤激光(1064nm) | 紫外激光(355nm) |
加工原理 | 热效应主导:通过高能量激光使材料熔化、气化。 | 冷加工主导:直接打断分子键,材料以光化学分解方式去除。 |
热影响区(HAZ) | 较大(几十微米),易导致芯片局部过热。 | 极小(<10μm),几乎无热损伤风险。 |
光斑直径 | 通常≥20μm,适合大面积快速去除。 | 可聚焦至 5 - 10μm,适合亚微米级精密加工。 |
适用材料 | 金属层、厚陶瓷 / 塑料封装。 | 聚合物、光刻胶、精细电路层、热敏材料。 |
典型应用场景 | 芯片外层封装粗加工、金属盖切割。 | 内层电路暴露、失效点精确定位、微电路修复。 |
设备成本 | 较低(同等功率下约为紫外的 1/3 - 1/2)。 | 较高(需精密光路系统和高功率紫外激光器)。 |
维护难度 | 较低(光纤寿命长,结构稳定)。 | 较高(紫外激光器寿命较短,需定期校准光路)。 |
二、具体应用场景差异
1. 光纤激光的优势场景
去除厚封装材料:例如,快速剥离芯片外部的陶瓷或环氧树脂层(厚度>100μm)。
金属层加工:如切割铜 / 铝散热盖或金属屏蔽层。
效率优先场景:对于不需要高精度的粗加工,光纤激光的高功率(>50W)可实现更快的材料去除速度。
典型案例:
CPU/GPU 开盖换硅脂(去除顶部金属盖)。
汽车电子芯片的塑料封装初步拆解。
2. 紫外激光的优势场景
精细层处理:
暴露芯片 Die 表面的钝化层(如 SiO₂、Si₃N₄)。
去除 BGA 封装底部的 underfill 填充胶(避免损伤焊点)。
热敏材料加工:
对 MEMS 传感器、光电器件等热敏芯片进行开盖。
失效分析(FA):
精确定位短路点或烧毁区域(需保留周围电路完整性)。
典型案例:
手机基带芯片内部电路修复。
半导体晶圆级开封(wafer - level decapsulation)。
三、如何选择?
根据芯片类型选择:
传统封装(DIP、QFP):优先用光纤激光(成本低、效率高)。
先进封装(Flip - Chip、3D IC):必须用紫外激光(避免焊点和 TSV 结构受损)。
根据加工精度需求选择:
若需保留内部电路完整性(如逆向工程),选紫外激光。
若仅需暴露 Die 层(如散热改装),光纤激光即可。
成本考量:
小批量维修或研发实验室:优先采购紫外激光设备(通用性强)。
大规模生产(如芯片回收):可搭配光纤激光进行粗加工,降低单位成本。
四、注意事项
混合加工策略:
复杂芯片翻新可能需要光纤激光 + 紫外激光组合:先用光纤激光快速去除外层,再用紫外激光处理内层精细结构。
工艺参数优化:
光纤激光需严格控制功率(避免烧毁 Die),常用参数:功率 20 - 50W,频率 20 - 100kHz。
紫外激光需关注脉冲宽度(<10ns 可减少热影响),常用参数:功率 5 - 15W,频率 50 - 200kHz。
配套系统:
紫外激光开盖机需搭配高精度运动平台(定位精度≤±1μm)和同轴显微镜(实时观察加工过程)。
五、典型设备举例
光纤激光开盖机:
浪起激光 LQL-F200(大功率功率 200W,适合工业级芯片批量开封)。
紫外激光开盖机:
浪起激光LQL-F10(精度 5μm,用于 PCB 微电路修复和芯片失效分析)。
如需进一步对比特定型号或制定工艺方案,可提供具体芯片类型和翻新需求。
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